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紫外探測(cè)器
紫外探測(cè)器
GaN紫外探測(cè)器
氮化鎵(GaN)基紫外探測(cè)器響應(yīng)波段覆蓋180-450 nm,具有體積小、靈敏度高、暗電流低、抗可見光和紅外干擾能力強(qiáng)、種類豐富等特點(diǎn)。
AlGaN日盲紫外探測(cè)器
鋁鎵氮(AlGaN)基日盲紫外探測(cè)器響應(yīng)波段覆蓋240-280 nm,對(duì)太陽光無響應(yīng)、暗電流低、壽命長等特點(diǎn)。
圖片 型號(hào) 響應(yīng)波段 器件面積 封裝類型 下載 G280T01MBP 240-280 nm 0.2 mm2 TO46 G280T01LBP 240-280 nm 1 mm2 TO46
G270T01MBP
230-270 nm
0.2 mm2
TO46
SiC紫外探測(cè)器
碳化硅(SiC)紫外探測(cè)器響應(yīng)波段覆蓋180-385 nm,具有可靠性高、暗電流低、耐高溫等特點(diǎn)。
圖片 型號(hào) 響應(yīng)波段 器件面積 封裝類型 下載 SUVAT05 180-385 nm 0.25 mm2 TO46 SUVAT10 180-385 nm 1 mm2 TO46
SUVAT30
180-385 nm
9 mm2
TO39